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还在寻找一颗能瞬间提升设备响应速度的“心脏”吗？MT41K512M8RH-125 M:E正是您期待的答案。这颗美光4Gb DDR3L SDRAM芯片，凭借800MHz的高频和并行接口，能为您的高速计算、实时控制和大数据缓冲需求提供强劲动力，让您的系统运行如飞。

它采用先进的低电压技术（1.283V-1.45V），能显著降低整体功耗，帮助您设计出更节能、散热更优的产品。其宽温（0°C至95°C）特性和可靠的78-TFBGA封装，确保在工业控制、网络通信等严苛环境中依然稳定如山，大幅提升终端设备的耐用性和可靠性。

简而言之，这颗芯片能轻松胜任您项目中对于高速、稳定、低功耗内存的所有要求，是您打造高性能嵌入式系统的理想选择，让您的产品在激烈的市场竞争中占据性能制高点。

• 型号:MT41K512M8RH-125 M:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT41K512M8RH-125 M:E，Micron（美光）产品一站式供应商。