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还在寻找一颗能扛起数据重担、稳定可靠的“内存基石”吗？MT41K256M8HX-187E:D正是您需要的答案。这颗美光出品的2Gb DDR3L SDRAM芯片，能以高达533MHz的速度流畅处理数据，其低至1.283V的工作电压更能为您显著节省系统功耗，让您的设备在高效运行的同时兼顾能效表现。

它拥有256M x 8的并行接口和2Gb的总容量，为您的中高端应用提供充沛的数据吞吐空间。无论是工业控制、网络通信还是嵌入式系统，它都能轻松应对，确保关键任务流畅执行。其宽温（0°C ~ 95°C）特性和成熟的78-TFBGA封装，进一步保障了其在各种环境下的长期稳定与可靠，让您的产品设计更具竞争力与生命力。

• 型号:MT41K256M8HX-187E:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.125 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
• MT41K256M8HX-187E:D，Micron（美光）产品一站式供应商。