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还在寻找一颗能同时满足高性能与低功耗需求的存储核心吗？MT41K256M16TW-107 XIT:P TR正是您的理想之选。这颗来自美光科技的4Gb DDR3L SDRAM，能以高达933MHz的速度流畅处理数据，而其低至1.35V的标准工作电压，则能显著降低系统整体功耗，让您的设备在高效运行的同时更加节能环保。

它能让您的设计轻松应对严苛挑战。无论是工业自动化设备中的实时控制，还是网络通信设备的海量数据缓冲，这颗芯片都能提供稳定可靠的高速存储支持。其宽广的工作温度范围（-40°C ~ 95°C）确保了在极端环境下的出色可靠性，而紧凑的96-TFBGA封装则为您节省宝贵的PCB空间，让产品设计更加灵活高效。

• 型号:MT41K256M16TW-107 XIT:P TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
• MT41K256M16TW-107 XIT:P TR，Micron（美光）产品一站式供应商。