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当您的设计需要兼顾高性能与低功耗时，MT41K256M16LY-093:N TR 这颗4Gb DDR3L SDRAM芯片就是您的答案。它能让您的设备以高达1067MHz的速度流畅运行，同时凭借1.283V~1.45V的低电压供电，显著优化系统能效，帮助您轻松打造出更省电、更可靠的产品。

这颗芯片采用成熟的96-TFBGA封装和并行接口，为您提供256M x 16的灵活存储容量和20ns的快速数据访问能力。无论是用于工业控制、网络通信还是嵌入式系统，它都能确保数据的高速稳定传输，让您的应用应对多任务处理时更加游刃有余，全面提升终端产品的竞争力与用户体验。

• 型号:MT41K256M16LY-093:N TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（7.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.066 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）
• MT41K256M16LY-093:N TR，Micron（美光）产品一站式供应商。