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还在寻找能让您的移动设备“快人一步”的核心动力吗？EDF8164A3PK-JD-F-R就是您期待的答案。这颗美光科技的8Gb LPDDR3移动内存芯片，专为高性能、低功耗场景打造，其933MHz的高时钟频率和并联接口，能让您的设备实现疾速数据读写，轻松应对多任务处理和高清内容渲染，彻底告别卡顿。

它不仅仅追求速度，更懂得平衡之道。宽电压设计（1.14V~1.95V）与LPDDR3技术的结合，在释放强劲性能的同时，显著优化功耗，有效延长电池续航，让您的产品兼具流畅体验与持久耐力。无论是智能手机、平板还是嵌入式系统，它都能以稳定可靠的表现为您的创意赋能。

• 型号:EDF8164A3PK-JD-F-R
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-FBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:128M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
• EDF8164A3PK-JD-F-R，Micron（美光）产品一站式供应商。