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当您的设计需要一颗既快速又极度可靠的非易失性存储器时，MT28EW01GABA1LJS-0AAT就是为您准备的解决方案。这颗美光1Gb并行NOR闪存，能以高达105ns的速度响应您的数据访问请求，让您的系统启动更快、运行更流畅。它支持灵活的128M x 8或64M x 16配置，为您提供充裕的代码或数据存储空间。

更重要的是，它专为严苛环境打造。宽广的2.7V至3.6V工作电压范围和-40°C至105°C的汽车级工作温度，确保它在车载电子、工业控制等应用中稳定如山，彻底免除您的后顾之忧。选择它，就是为您的产品选择了一份经AEC-Q100认证的可靠保障，让您能更专注于核心功能的创新与优化。

• 型号:MT28EW01GABA1LJS-0AAT
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8，64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:60ns
• 访问时间:105 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:56-TSOP
• MT28EW01GABA1LJS-0AAT，Micron（美光）产品一站式供应商。