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还在为系统运行卡顿、数据响应迟缓而烦恼吗？让MT41K256M16HA-125 M:E TR为您带来焕然一新的体验！这颗由美光科技打造的4Gb DDR3L SDRAM芯片，就像为您设备配备的“超强大脑”，能以高达800MHz的速度高效处理海量数据，其13.75ns的极速访问时间，确保您的应用程序指令得到瞬间响应，大幅提升整体运行流畅度。

它采用先进的低电压设计（1.283V~1.45V），在提供强劲性能的同时，显著降低系统功耗，让您的产品更节能环保。无论是复杂的多任务处理，还是实时性要求极高的控制运算，它都能轻松应对，稳定可靠。其表面贴装的96-TFBGA封装，易于集成到各种紧凑的设计中，是您打造高效、可靠嵌入式系统的得力伙伴。

• 型号:MT41K256M16HA-125 M:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（9x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
• MT41K256M16HA-125 M:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。