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还在为系统存储与运行内存的平衡而烦恼吗？MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C为您提供一站式的高效解决方案。它将4Gb NAND Flash和4Gb LPDDR2 DRAM合二为一，让您的设备既能拥有海量的非易失数据存储空间，又能享受高达533MHz的高速数据吞吐性能。

这颗芯片采用1.8V低功耗设计和162-VFBGA紧凑封装，能轻松集成到您的空间受限设计中，同时显著优化系统能效。其宽广的-40°C至85°C工作温度范围，确保您的产品在工业、车载等严苛环境中依然稳定可靠。选择它，就是选择让您的产品在性能、功耗和可靠性上全面领先。

• 型号:MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:162-VFBGA（10.5x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 4G PAR 162VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
• 存储容量:4Gb（NAND），4Gb（LPDDR2）
• 存储器组织:128M x 32（NAND），128M x 32（LPDDR2）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.8V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:162-VFBGA
• 供应商器件封装:162-VFBGA（10.5x8）
• MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C，Micron（美光）产品一站式供应商。