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还在寻找能同时担当数据仓库和高速缓存的存储核心吗？MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT TR正是为您量身打造的解决方案。它将8Gb NAND闪存的大容量、非易失特性，与4Gb移动LPDRAM的200MHz高速访问能力完美集成于一颗芯片之中，让您的设备既能海量存储关键数据与程序，又能实现闪电般的运行与响应。

这颗芯片采用高效的并联接口与低至1.7V的供电设计，不仅大幅提升了数据吞吐效率，更能显著优化系统的整体功耗与散热表现。无论是面对工业控制、通信设备还是其他高端嵌入式应用，它都能让您轻松构建出更稳定、更高效、更具竞争力的产品，彻底释放您设计的全部潜能。

• 型号:MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:-
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 8GBIT PAR 200MHZ
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:闪存 - NAND，移动 LPDRAM
• 存储容量:8Gb（NAND），4Gb（LPDRAM）
• 存储器组织:512M x 16（NAND），128M x 32（LPDRAM）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:-
• MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。