我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备的数据存储瓶颈而烦恼吗？MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR就是您期待的解决方案。这颗由美光科技打造的1.5Tb大容量NAND闪存芯片，采用高效的并联接口，运行频率高达267MHz，能为您的高速应用提供源源不断的数据流，让您的系统处理海量信息时依然游刃有余。

它采用可靠的132-VBGA封装，支持表面贴装，宽电压（2.7V~3.6V）和工业级温度（0°C~70°C）适应能力，确保在各种复杂环境中稳定工作。选择它，意味着您为产品选择了一个强大、耐用且高效的数据核心，轻松应对从数据中心到边缘设备的各类严苛挑战。

• 制造商产品型号：MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.5T PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.5Tb（192G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。