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它能让您的服务器、数据中心或专业影音设备轻松驾驭256G x 8的巨量数据存储，并在2.5V~3.6V的宽电压范围内稳定工作。这意味着您不仅能实现更高的系统集成度，还能确保在0°C至70°C的广泛环境温度下持续高效运行，极大提升了最终产品的可靠性与市场竞争力。

• 制造商产品型号：MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 2TB PARALLEL 333MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：2Tb（256G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。