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您是否在寻找一颗能同时满足高性能、低功耗与高可靠性要求的内存解决方案？MT41K256M16HA-125 AAT:E正是您的理想之选。这颗美光4Gb DDR3L SDRAM芯片，以800MHz的时钟频率和13.75ns的快速访问时间，为您的高速数据处理需求提供强劲动力，同时其1.35V低电压核心显著降低系统能耗，让您的设备运行更高效、更环保。

它采用工业级标准设计，支持-40°C至105°C的宽温工作范围，确保在严苛环境下依然稳定可靠。无论是复杂的网络设备、工业自动化控制系统，还是需要持续运行的嵌入式应用，它都能轻松胜任，成为您系统中值得信赖的数据基石。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的性能保障。

• 型号:MT41K256M16HA-125 AAT:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（9x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
• MT41K256M16HA-125 AAT:E，Micron（美光）产品一站式供应商。