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MT41K128M16V89C3WC1 零件图片(仅供参考)

MT41K128M16V89C3WC1
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MT41K128M16V89C3WC1 规格参数

还在为嵌入式系统或网络设备寻找那颗“恰到好处”的内存核心吗?MT41K128M16V89C3WC1就是您的理想答案。这颗来自美光科技的2Gb DDR3芯片,能为您提供稳定可靠的高速数据通道,让您的设备在处理多任务、运行大型程序或进行实时数据交换时,始终保持流畅与高效。

它就像您系统中的一个超级助手,以128M x 16的宽位架构,轻松承载海量数据吞吐,显著提升整体响应速度。无论是加速您的工业控制器,还是让网络交换设备运行得更快更稳,它都能出色完成任务,让您的产品设计事半功倍,轻松赢得市场先机。

  • 型号:MT41K128M16V89C3WC1
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:模具
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL DIE
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:128M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:模具
  • 供应商器件封装:模具
  • MT41K128M16V89C3WC1,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT41K128M16V89C3WC1 基本参数:

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