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还在为嵌入式系统寻找一颗性能与可靠性兼备的内存核心吗？MT41J512M8RH-093:E就是您的答案。这颗美光出品的4Gb DDR3 SDRAM芯片，能以高达1066MHz的速度流畅处理数据，20ns的快速访问时间让系统响应瞬间提速，轻松应对实时控制、高速通信等复杂任务。

它采用稳定的1.5V供电和宽温设计（0°C ~ 95°C），确保在各种严苛环境下持续高效运行。其512M x 8的并行接口和紧凑的78-TFBGA封装，让您能更灵活地进行PCB布局，高效节省空间，是升级现有设计或开发高性能应用的坚实基石。

• 型号:MT41J512M8RH-093:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.066 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT41J512M8RH-093:E，Micron（美光）产品一站式供应商。