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还在为系统数据处理的卡顿而烦恼吗？让MT41J512M4HX-15E:D为您带来改变。这颗来自美光科技的2Gb DDR3 SDRAM芯片，拥有512M x 4的组织结构，通过并行接口以高达667MHz的速度与您的处理器高效对话，13.5ns的快速访问时间让数据读取瞬间完成，显著提升系统响应能力。

它采用1.5V供电和78-TFBGA紧凑封装，不仅节能，更能帮助您优化电路板布局。宽达0°C至95°C的工作温度范围，确保它在各种严苛环境下稳定运行。无论是用于工业控制、网络设备还是其他需要可靠、高速暂存数据的场景，它都能让您的设计性能更上一层楼，轻松应对复杂任务。

• 型号:MT41J512M4HX-15E:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:512M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:667 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.5 ns
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
• MT41J512M4HX-15E:D，Micron（美光）产品一站式供应商。