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还在为设备的内存性能与功耗难以兼得而烦恼吗？EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR专为解决这一痛点而生。这颗512Mb容量的移动LPDDR2 DRAM，能以高达533MHz的速度高效处理数据，让您的应用程序运行如飞，同时其宽电压设计（1.14V~1.95V）能智能调节功耗，显著提升设备的续航能力。

它能让您的产品在极端环境（-40°C ~ 105°C）下依然稳定可靠，无论是炎夏还是严冬都能持续工作。其紧凑的134-VFBGA封装更便于您进行高密度的电路板设计，轻松实现产品的小型化与性能升级，是打造下一代智能移动与嵌入式设备的理想内存核心。

• 型号:EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-VFBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:16M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-VFBGA
• 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5）
• EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR，Micron（美光）产品一站式供应商。