我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备的数据存储速度和容量发愁吗？MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存芯片，能轻松容纳海量应用数据、高清媒体文件或复杂的系统代码，让您的产品拥有“过目不忘”的强大记忆力。

它通过高效的并联接口和83MHz时钟频率，为您提供快速的数据读写通道，显著减少等待时间，提升系统整体响应效率。其宽电压范围（2.7V-3.6V）与工业级温度适应性，确保了在各种工作环境下都能稳定运行，让您的设计更可靠、更省心。选择它，就是为您的项目选择了一个高效、稳健的数据存储基石。

• 型号:MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-LBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 152LBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（SLC）
• 存储容量:512Gb
• 存储器组织:64G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-LBGA
• 供应商器件封装:152-LBGA（14x18）
• MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。