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还在为系统运行卡顿、数据吞吐瓶颈而烦恼吗？MT41J256M16HA-125:E正是您期待的解决方案。这颗来自美光科技的4Gb DDR3 SDRAM芯片，以其800MHz的高时钟频率和并联接口，能显著加速您的数据处理流程，让您的设备响应如飞，轻松应对密集型运算任务。

它不仅能为您提供高达256M x 16的存储空间，满足大容量数据缓存需求，其1.5V左右的低工作电压和宽温工作特性（0°C ~ 95°C），更确保了在各种应用环境下都能实现高效、稳定的运行。采用96-TFBGA封装，易于集成到您的PCB设计中，是提升工业控制、网络通信及嵌入式系统性能的可靠心脏。

• 型号:MT41J256M16HA-125:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（9x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
• MT41J256M16HA-125:E，Micron（美光）产品一站式供应商。