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还在寻找能瞬间提升系统响应速度的核心内存吗？MT40A512M8SA-062E AIT:F TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的4Gb DDR4 SDRAM，拥有高达1.6GHz的运行速度和仅19ns的快速访问时间，能轻松应对数据密集型应用，让您的设备处理海量信息时如虎添翼，彻底告别卡顿与延迟。

它采用先进的78-TFBGA封装和表面贴装设计，集成度高，节省宝贵的板级空间。其宽广的-40°C至95°C工作温度范围和稳定的低电压供电（1.14V~1.26V），确保了在各类严苛环境下都能持续高效、可靠地工作。无论是用于加速网络通信、强化工业控制，还是提升嵌入式计算性能，它都能让您的设计游刃有余，轻松实现性能飞跃。

• 型号:MT40A512M8SA-062E AIT:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（7.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:19 ns
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x11）
• MT40A512M8SA-062E AIT:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。