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还在为系统设计中的存储与内存方案纠结吗？MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR为您提供了一站式的高效答案。这颗由美光科技打造的创新芯片，巧妙地将4Gb NAND Flash和4Gb LPDDR2 DRAM合二为一，让您的设备既能拥有海量、可靠的数据存储空间，又能获得高达533MHz的疾速运行内存。

它能让您的设计工作变得无比轻松。您无需再分别布局两种存储器，一颗芯片即可满足核心的数据持久化与高速缓存需求，极大地简化了电路设计，节约了宝贵的板卡空间。无论是运行复杂的应用程序，还是快速读写大容量文件，它都能确保流畅高效的体验，助您打造出响应迅捷、性能卓越的终端产品。

• 型号:MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:-
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 533MHZ
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
• 存储容量:4Gb（NAND），4Gb（LPDDR2）
• 存储器组织:256M x 16（NAND），128M x 32（LPDDR2）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.8V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:-
• MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。