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还在为设备的内存与存储空间分配而烦恼吗？MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR为您提供了一站式的高效解决方案。它将2Gb的高速LPDDR2 DRAM与4Gb的大容量NAND Flash集成于单颗芯片中，让您的系统既能拥有533MHz的疾速数据交换能力，又能获得稳定可靠的非易失存储空间。

这颗芯片能轻松应对复杂的多任务处理与数据缓存需求，同时确保操作系统、应用程序和用户数据的可靠存储。其1.8V低功耗设计和宽广的工业级温度范围（-40°C ~ 85°C），让您的产品在能效与可靠性上双双领先。选择它，就是选择用更简洁的设计，实现更强大的性能，让产品开发事半功倍。

• 型号:MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:162-VFBGA（10.5x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
• 存储容量:4Gb（NAND），2Gb（LPDDR2）
• 存储器组织:128M x 32（NAND），64M x 32（LPDDR2）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.8V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:162-VFBGA
• 供应商器件封装:162-VFBGA（10.5x8）
• MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。