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还在为系统需要同时搭载闪存和内存而烦恼吗？MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR为您提供了一站式解决方案！这颗来自美光科技的创新芯片，巧妙地将4Gb NAND Flash和2Gb LPDDR2 DRAM融为一体，让您的设备既能高速运行程序，又能安全持久地保存数据。

它能在1.8V的低电压下，以533MHz的高频稳定工作，显著降低系统整体功耗，同时凭借其并联接口和宽温特性，轻松应对工业控制、汽车电子等严苛环境。选择它，就是选择让您的设计更简洁、性能更高效、产品更可靠。

• 型号:MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:162-VFBGA（11.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
• 存储容量:4Gb（NAND），2Gb（LPDDR2）
• 存储器组织:512M x 8（NAND），64M x 32（LPDDR2）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.8V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:162-VFBGA
• 供应商器件封装:162-VFBGA（11.5x13）
• MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。