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您正在为项目寻找一颗能扛起数据存储重任的核心芯片吗？MT29F8G16ABBCAH4:C TR就是您的高效解决方案。这颗由美光科技出品的8Gb并行NAND闪存，采用先进的63-VFBGA封装，能以512M x 16的架构为您提供海量、稳定的非易失存储空间。其1.7V~1.95V的低电压供电特性，显著优化了系统能效。

它将让您的设备轻松应对固件存储、数据日志记录、多媒体内容缓存等多种需求。无论是工业控制、网络通信还是消费电子领域，这颗芯片都能凭借其可靠的性能和广泛的温度适应性（0°C ~ 70°C），确保数据存取的高速与安全，大幅提升您终端产品的整体竞争力与用户体验。

• 型号:MT29F8G16ABBCAH4:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:512M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F8G16ABBCAH4:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。