我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT53D512M64D4NW-053 WT:D TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备的多任务卡顿和能效问题烦恼吗？让MT53D512M64D4NW-053 WT:D TR为您带来变革。这颗32Gb容量的LPDDR4移动DRAM，能以高达1866MHz的速度疾速响应，轻松应对高清视频编辑、大型游戏和复杂AI计算带来的海量数据流，彻底释放您设备的性能潜力。

它采用先进的低功耗设计，工作电压仅1.1V，在提供强劲动力的同时，显著延长了电池续航，让您的移动设备更高效、更持久。其坚固的432-VFBGA封装和宽温工作特性，确保在各种严苛环境下稳定运行，是您打造下一代智能终端不可多得的可靠核心。

• 制造商产品型号：MT53D512M64D4NW-053 WT:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 32GBIT 1866MHZ 432VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：32Gb（512M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1866MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：432-VFBGA
• MT53D512M64D4NW-053 WT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。