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还在为嵌入式系统的数据存储核心而烦恼吗？让MT29F8G08ADBDAH4-IT:D TR来为您解决！这颗美光出品的8Gb并行NAND闪存芯片，能为您提供高达1G x 8位的大容量、非易失性存储，确保设备断电后数据依然安全无虞。

它采用高效的并联接口与先进的工艺技术，让您的系统能够快速、稳定地存取数据。其宽广的-40°C至85°C工作温度范围与1.7V~1.95V的低电压特性，更能让您的产品轻松应对工业、车载等严苛环境挑战，实现高效、可靠的持久运行。

• 型号:MT29F8G08ADBDAH4-IT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F8G08ADBDAH4-IT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。