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还在寻找一颗能扛得住极端环境、又能轻松集成的高性价比存储芯片吗？MT29F1G08ABBDAHC-IT:D就是您的理想答案。这颗美光出品的1Gb并行NAND闪存，能为您的大容量数据存储需求提供坚实底座，无论是程序固件、系统日志还是用户数据，都能被安全、高效地保存。

它采用工业级宽温设计（-40°C ~ 85°C），让您的设备无惧严寒酷暑，稳定运行。1.7V~1.95V的低电压工作范围，有助于您设计出更节能的产品。其经典的并联接口和128M x 8的存储结构，让数据存取直接高效，简化您的系统设计。选择它，就是选择了一个经过长期验证、可靠省心的存储解决方案，让您能更专注于产品核心功能的创新与优化。

• 型号:MT29F1G08ABBDAHC-IT:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F1G08ABBDAHC-IT:D，Micron（美光）产品一站式供应商。