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您是否正在寻找一颗能扛重任、值得信赖的存储核心？MT29F8G08ADADAH4-IT:D TR就是您的高效答案。这颗来自美光科技的8Gb并行NAND闪存芯片，专为需要稳定、大容量数据存储的应用而设计。它采用1G x 8的架构，配合并联接口，能让您的系统轻松、快速地处理海量数据流。

更令人放心的是，它拥有工业级的强悍体质。宽广的工作电压范围（2.7V~3.6V）和宽温工作能力（-40°C ~ 85°C），确保您的设备无论在电力波动或是严寒酷暑的环境中，都能持续可靠运行。其紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，还能帮助您优化电路板空间，实现更精巧的产品设计。选择它，就是为您的产品选择了一份持久稳定的数据保障。

• 型号:MT29F8G08ADADAH4-IT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F8G08ADADAH4-IT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。