我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F64G08CBHGBJ4-3R:G TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为嵌入式系统寻找一颗既强大又可靠的数据存储核心吗？MT29F64G08CBHGBJ4-3R:G TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的64Gb并行NAND闪存，能为您的高速设备提供海量、非易失的存储空间，无论是存储复杂的程序代码、用户数据还是多媒体内容，都能轻松应对。

它凭借高达333MHz的时钟频率和并联接口，为您带来疾速的数据读写体验，显著缩短系统启动和加载时间。宽电压设计和工业级温度范围，让您的产品在各种环境下都能稳定运行，极大地提升了系统可靠性。选择它，就是选择让您的设计更高效、产品更具竞争力。

• 制造商产品型号：MT29F64G08CBHGBJ4-3R:G TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 64GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：64Gb（8G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F64G08CBHGBJ4-3R:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。