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还在为设备的数据吞吐速度而烦恼吗？MT29F64G08CBHGBJ4-3RES:G TR就是您期待的答案。这颗由美光科技出品的64Gb并行NAND闪存芯片，能以高达333MHz的时钟频率极速响应，让您的系统轻松应对海量数据的实时读写需求，无论是启动程序、加载大型文件还是持续记录数据，都能做到瞬间响应，流畅无比。

它采用可靠的表面贴装型132-VBGA封装，在2.7V至3.6V的宽电压范围内稳定工作，兼容性极强。这意味着您可以将它高效地集成到从消费电子到工业控制的广泛应用中，显著提升终端产品的整体性能和响应速度。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲、可靠的数据心脏。

• 制造商产品型号：MT29F64G08CBHGBJ4-3RES:G TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 64GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：64Gb（8G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F64G08CBHGBJ4-3RES:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。