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MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G 零件图片(仅供参考)

MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G
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MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G 规格参数

还在为寻找一颗能扛起数据存储重任的核心芯片而烦恼吗?MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的64Gb并行NAND闪存,拥有高达200MHz的时钟频率,能让您的设备实现闪电般的数据读写,轻松应对海量信息处理的需求。

它采用可靠的并行接口和宽电压设计,确保在各种复杂工作环境下都能稳定运行。无论是用于加速您的工业控制设备,还是作为网络存储的关键部件,它都能提供持久、高效的非易失性存储支持,让您的系统设计更从容,性能表现更出众。

  • 制造商产品型号:MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 132VBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:64Gb(8G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:200MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:132-VBGA
  • MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G 基本参数:

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