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您正在寻找一颗能同时满足大容量存储和高速读写的核心芯片吗？MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR正是您的理想答案。这颗由美光科技打造的64Gb NAND闪存，采用高效的并联接口，能以高达100MHz的时钟频率运行，让您的设备实现快速的数据吞吐，显著提升系统响应速度。

它拥有2.7V至3.6V的宽电压适应能力，功耗控制出色，同时其坚固的非易失特性确保数据在断电后安全无虞。无论是用于缓存、程序存储还是数据记录，它都能让您的设计更加高效可靠。表面贴装的100-VBGA封装更为您节省了宝贵的PCB空间，让产品集成度更高。

• 型号:MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-VBGA
• 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
• MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。