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MT29F64G08CBCABH1-12Z:A TR 零件图片(仅供参考)

MT29F64G08CBCABH1-12Z:A TR
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MT29F64G08CBCABH1-12Z:A TR 规格参数

还在为设备的数据存储速度和容量发愁吗?让MT29F64G08CBCABH1-12Z:A TR来彻底改变这一切!这颗来自美光科技的64Gb并行NAND闪存,就像为您设备配备了一个高速、海量的数字仓库。

它凭借83MHz的时钟频率和并联接口,能让您的系统实现高效的数据读写,大幅缩短加载和响应时间。无论是存储复杂的程序代码,还是记录持续产生的运行数据,其非易失的特性都能确保信息在断电后依然安全无虞。宽电压和宽温设计让它能轻松应对各种工作环境,从室内设备到工业现场都能稳定发挥。选择它,就是为您的产品注入了强劲、可靠的存储动力。

  • 制造商产品型号:MT29F64G08CBCABH1-12Z:A TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:64Gb(8G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:83MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:100-VBGA
  • MT29F64G08CBCABH1-12Z:A TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F64G08CBCABH1-12Z:A TR 基本参数:

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