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还在为寻找一颗能兼顾大容量、高速度与高可靠性的核心存储芯片而烦恼吗？让MT29F64G08CBABBWP-12:B TR来为您解决难题！这颗由美光科技打造的64Gb NAND闪存芯片，就像一个高效、忠诚的数据管家。

它基于成熟的并联接口技术，能以83MHz的时钟频率为您快速处理数据，让您的设备响应如飞。其宽广的2.7V~3.6V工作电压范围，让您在设计电源系统时更加游刃有余，有效提升能效。无论是存储庞大的系统文件、用户资料还是多媒体内容，它都能轻松胜任，为您的产品提供坚实可靠的存储基石。

选择它，就是为您的嵌入式系统或消费电子设备选择了一个久经考验的存储核心，让您能够更专注于产品创新与用户体验的提升，无后顾之忧。

• 型号:MT29F64G08CBABBWP-12:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F64G08CBABBWP-12:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。