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还在为嵌入式系统或网络设备的存储瓶颈而烦恼吗？MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR就是您期待的答案。这颗美光出品的64Gb并行NAND闪存，能以高达166MHz的速度与您的主控高效对话，让海量数据的写入与读取变得异常轻松，瞬间提升系统响应能力。

它为您提供了一个坚固可靠的非易失性数据家园。宽达2.7V至3.6V的工作电压范围，让它在复杂的供电环境中依然稳定如山；而-40°C到85°C的工业级工作温度，则确保您的设备无论是置于严寒户外还是高温机箱内，关键数据都安全无虞。选择它，就是为您的产品选择了一份从容应对各种挑战的数据存储保障。

• 型号:MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。