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MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D 零件图片(仅供参考)

MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D
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MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D 规格参数

还在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与工业级可靠性的存储芯片吗?MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D正是您的理想答案。这颗64Gb容量的并行NAND闪存,能以高达166MHz的时钟频率迅猛处理数据,让您的设备在存取海量信息时也能行云流水,毫无迟滞。

它采用宽电压(2.7V-3.6V)供电与宽温(-40°C至85°C)设计,赋予您产品强大的环境适应力和更高的设计灵活性。无论是应对严苛的工业现场,还是追求能效的消费电子,它都能稳定担当数据基石。其紧凑的132-VBGA封装,更让您能轻松优化电路板空间,实现更精巧、更高效的产品设计。

  • 型号:MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:132-VBGA(12x18)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:64Gb
  • 存储器组织:8G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:132-VBGA
  • 供应商器件封装:132-VBGA(12x18)
  • MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D 基本参数:

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