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您是否正在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储核心？MT29F64G08AECABH1-10Z:A TR正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的64Gb并行NAND闪存芯片，就像一个高速且永不疲倦的数据枢纽，能轻松承载您的操作系统、关键应用程序和用户数据，让设备响应如飞，运行无比流畅。

它基于成熟的闪存技术，确保数据在断电后依然安全无虞。100MHz的时钟频率配合并联接口，为您带来高效的数据吞吐体验，显著提升整体系统性能。广泛的电压适应范围和工业级工作温度，让它能在各种环境下稳定服役，是构建耐用、可靠产品的坚实基石。选择它，就是为您的项目选择了一份强大的存储保障。

• 型号:MT29F64G08AECABH1-10Z:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-VBGA
• 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
• MT29F64G08AECABH1-10Z:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。