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还在为设备的数据存储瓶颈而烦恼吗？MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR就是您期待的答案。这颗美光出品的512Gb并行NAND闪存芯片，如同一个高速、海量的数字仓库，能以高达267MHz的时钟频率迅猛吞吐数据，让您的应用轻松驾驭64G x 8的庞大存储空间，彻底告别卡顿与等待。

它采用可靠的闪存技术，在2.7V至3.6V电压下稳定运行，专为需要持续、高效数据读写的场景而生。无论是加速系统启动，还是瞬间加载大型文件或复杂程序，它都能让您的产品性能表现焕然一新，为用户带来极致流畅的体验。

• 制造商产品型号：MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PARALLEL 267MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。