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还在为设备的数据存储速度和容量发愁吗？MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A这颗来自美光科技的512Gb NAND闪存芯片，就是为您量身打造的性能引擎。它拥有高达333MHz的时钟频率和并联接口，能让您的系统实现闪电般的数据读写，轻松应对高清视频流、大型应用程序和复杂数据集的加载与存储需求。

这颗芯片能在2.5V至3.6V的宽电压下稳定运行，功耗控制出色，并支持0°C至70°C的工业级温度范围，确保您的产品在各种环境下都坚若磐石。采用紧凑的132-VBGA封装，它能帮助您高效利用宝贵的PCB空间。选择它，就是选择了一种让产品运行更流畅、响应更迅速、竞争力更强大的可靠方案。

• 型号:MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量:512Gb
• 存储器组织:64G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A，Micron（美光）产品一站式供应商。