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还在为嵌入式系统寻找一颗反应迅速、坚若磐石的“记忆大脑”吗？M58LT128KSB7ZA6E正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的128Mb并行NOR闪存，能以高达52MHz的时钟频率和70ns的极速访问时间，让您的系统实现闪电般的数据读写，大幅提升整体响应效率。

它能在1.7V至2V的低电压下高效工作，并承受-40°C至85°C的宽温考验，确保您的工业控制、汽车电子或通信设备在各种恶劣环境中稳定运行。其紧凑的64-TBGA封装，让您能轻松优化电路板空间。简而言之，M58LT128KSB7ZA6E就是为帮助您构建更快速、更可靠、更紧凑的下一代产品而生的关键组件。

• 型号:M58LT128KSB7ZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-TBGA（10x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64TBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:52 MHz
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-TBGA
• 供应商器件封装:64-TBGA（10x13）
• M58LT128KSB7ZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。