我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备存储空间不足或速度慢而烦恼吗？MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A正是为您破解这一难题的利器。这颗由美光科技出品的512Gb大容量并行NAND闪存，能轻松容纳海量数据，无论是复杂的操作系统、丰富的媒体库还是持续增长的日志文件，都能游刃有余地存储和管理。

它采用高效的TLC技术和稳定的并行接口，让您的设备实现快速的数据读写与访问，显著提升应用程序的响应速度和整体运行效率。其表面贴装的132-VBGA封装和宽电压工作范围（2.7V~3.6V），更能让您在设计集成时更加灵活便捷，是打造高性能、高可靠性产品的理想存储选择。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 512GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A，Micron（美光）产品一站式供应商。