我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备的数据存储容量和速度发愁吗？MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A正是您期待的答案。这颗美光512Gb NAND闪存芯片，能为您的大容量应用提供稳定、高速的非易失性存储解决方案，让您的设备轻松承载海量数据，运行更高效。

凭借其并联接口和高达333MHz的时钟频率，它能显著提升数据吞吐效率，满足从工业控制到网络通信等各种高性能场景的苛刻要求。宽达-40°C至85°C的工作温度范围，更确保了它在极端环境下的卓越可靠性，让您的产品设计无后顾之忧。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：-
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A，Micron（美光）产品一站式供应商。