我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF:A现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备存储性能瓶颈而烦恼吗？MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF:A这颗来自美光科技的512Gb TLC NAND闪存芯片，就是为您破解难题的钥匙。它采用先进的64Gx8 VBGA封装，为您的高端消费电子、企业级存储或工业应用提供海量、高速且稳定的数据存储基础。

这颗芯片能为您做什么？它让您的系统轻松容纳海量内容，无论是复杂的操作系统、庞大的应用程序还是4K媒体文件，都能游刃有余。其出色的架构设计确保了高效的数据读写，显著提升设备响应速度与用户体验。选择它，就是为您的产品选择了一个经久耐用、性能卓越的存储核心，助您在激烈的市场竞争中赢得先机。

• 型号:MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:不适用于新设计
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量:512Gb
• 存储器组织:64G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF:A，Micron（美光）产品一站式供应商。