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它采用先进的非易失存储技术，确保数据安全无忧；宽电压（2.5V~3.6V）设计与0°C~70°C的工作温度范围，让您的产品在各种环境下都能稳定运行。选择它，就是为您的核心设备选择了一个强大、可靠且节能的数据仓库，让您专注于创新，将复杂的存储挑战交给我们来解决。

• 型号:MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:512Gb
• 存储器组织:64G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B，Micron（美光）产品一站式供应商。