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还在寻找能彻底释放您设备数据潜力的存储解决方案吗？MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR就是您期待的答案。这颗来自美光科技的512Gb NAND闪存芯片，凭借其并联接口和高达267MHz的时钟频率，能为您提供惊人的数据读写带宽，让海量数据的存取如行云流水般高效。

它能让您的系统轻松应对最苛刻的数据任务，无论是瞬间存储高分辨率图像，还是持续写入高速数据流，都能稳定可靠地完成。其2.7V至3.6V的宽电压供电范围和0°C~70°C的工业级工作温度，确保了在各种复杂应用环境下的出色适应性和持久耐力。选择它，就是为您的产品选择了一个强大、高效且值得信赖的数据基石。

• 制造商产品型号：MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。