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它为您带来的，是前所未有的存储自由度与系统高效性。宽广的电压适应范围和工业级工作温度，让它能在各种严苛环境下稳定运行，极大提升了您终端产品的可靠性与适用场景。选择它，意味着为您的设计注入强大的存储引擎，让创意和性能不再受限于容量与速度。

• 制造商产品型号：MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4TB PARALLEL 333MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Tb（512G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。