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它采用成熟的非易失性闪存技术，确保数据安全可靠。宽广的2.5V至3.6V工作电压范围和0°C~70°C的工作温度，赋予了您更大的系统设计灵活性和环境适应性。选择它，就是为您的核心产品注入一颗强大、稳定且高效的“数据心脏”，让复杂应用运行得更流畅，让用户体验提升到新高度。

• 制造商产品型号：MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4TB PARALLEL 333MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Tb（512G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。