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还在为设备的数据存储速度和容量天花板而烦恼吗？MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR将彻底改变这一局面。这颗由美光科技打造的4Tb并行NAND闪存芯片，专为应对数据密集型挑战而设计，它能为您的高性能计算、企业存储及高端嵌入式系统提供海量、高速且稳定的数据仓库。

凭借333MHz的时钟频率和并联接口，它能让您的系统实现惊人的数据吞吐速率，大幅缩短读写等待时间，从而提升整体运行效率。其宽广的工作电压与温度范围，更确保了在各种应用环境下都能可靠运行。选择它，就是为您的产品选择了一个强大、可信赖的数据基石，让您轻松驾驭海量数据，释放全部性能潜能。

• 型号:MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:-
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4TBIT PARALLEL 333MHZ
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Tb
• 存储器组织:512G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:-
• MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。