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还在为嵌入式项目寻找一颗“扛得住”的存储芯片吗？MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D TR就是您的答案。这颗美光4Gb并行NAND闪存，能为您提供稳定可靠的4Gb（256M x 16）大容量非易失存储空间，让您的设备轻松应对海量数据、程序或媒体文件的存储需求。

它采用成熟的并联接口，数据吞吐高效；1.7V~1.95V的宽电压范围支持，有助于您优化系统功耗。更值得一提的是，其-40°C至85°C的宽温工作能力，让您的产品无惧严苛环境挑战，无论是工业现场还是户外设备，都能确保数据存取万无一失。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的存储保障。

• 型号:MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。