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还在寻找一颗能扛起数据存储重任的“心脏”吗？MT29F4G16ABADAH4:D TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的4Gb并行NAND闪存，专为需要可靠、非易失存储的方案而生。它能让您的设备轻松容纳大量程序代码、用户数据或系统日志，确保信息在断电后依然完好无损。

凭借2.7V~3.6V的宽电压适应能力和0°C~70°C的工作温度范围，它能让您的产品在各种供电环境和气候条件下都稳定运行。紧凑的63-VFBGA封装更让您高效利用板卡空间，简化生产流程。选择它，就是为您的产品选择了一份历经市场验证的从容与可靠。

• 型号:MT29F4G16ABADAH4:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G16ABADAH4:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。