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还在为嵌入式系统的存储瓶颈寻找突破吗？MT29F4G16ABADAH4-AIT:D TR就是您期待的答案。这颗由美光科技出品的4Gb并行NAND闪存，能为您提供稳定可靠的非易失性存储解决方案，轻松容纳海量应用程序、用户数据与多媒体内容。

它让您的设计游刃有余。其2.7V~3.6V的宽电压供电和-40°C至85°C的工业级温度范围，确保设备在各类复杂环境下都能高效、稳定运行。无论是智能家居的快速响应，还是工业控制的实时数据记录，它都能出色完成任务。紧凑的63-VFBGA封装更节省您的PCB空间，助力实现更小巧、更强大的产品设计。

• 型号:MT29F4G16ABADAH4-AIT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G16ABADAH4-AIT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。